GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收  

作　　者：程兴奎[1] 黄柏标[2] 徐现刚[2] 刘士文[2] 任红文[2] 蒋民华[2] 

机构地区：[1]山东大学光电材料与器件研究所 [2]山东大学晶体材料研究所

出　　处：《红外与毫米波学报》1997年第5期339-343,共5页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ－１处的几个吸收峰．认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸收峰位置与实验结果很一致．

关 键 词：多量子阱结构 电子干涉 红外吸收 砷化镓 铝镓砷 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学] O471.1[理学—半导体物理]