MEMS器件各向异性腐蚀过程中的Al连线保护  

Protection of Al Lines in MEMS Device Anisotropic Etching

作　　者：李昕[1] 朱长纯[1] 赵红坡[1] 韩建强[1] 

机构地区：[1]西安交通大学电信学院,西安710049

出　　处：《电子器件》2004年第4期552-555,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家自然科学基金 ( 697760 3 7) ;国家教育部博士点基金 ( 980 6982 8) ;光电技术及系统教育部重点实验室;西安交通大学学科建设重点资助项目

摘　　要：微电子机械系统 ( MEMS)器件制造过程中的各向异性腐蚀工序 ,会引起硅片正面的 Al连线被腐蚀 ,造成器件的失效。本文论述了使用一种环氧树脂和聚酰胺调配的胶体将器件正面电路密封起来的方法 ,使 MEMS器件在 85℃ ,浓度为 3 3 %的 KOH溶液里进行各向异性腐蚀 ,可以成功地保护 Al连线。这种方法的使用 ,为With the silicon anisotropic etching in the field of fabricating microelectro-mechanical system(MEMS) devices, the Al lines would be etched and the MEMS devices would be failed. This paper primarily discusses a kind of colloid that is mixed with epoxy and polyamide to seal the face of MEMS devices, preventing the Al lines from etching in 33% KOH solution at 85 ℃. Through this way, we could lay a solid foundation of the fabrication for MEMS devices.

关 键 词：MEMS器件 AI连线 各向异性腐蚀 环氧树脂 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]