高Tg低ε_r覆铜板问世  

The Development of High Tg and Low εr CCL

作　　者：辜信实[1] 江恩伟[1] 

机构地区：[1]广东生益科技股份有限公司,523039

出　　处：《印制电路信息》2003年第1期17-19,共3页Printed Circuit Information

摘　　要：本文阐述了制造高玻璃化温度(Tg)、低介电常数(εr)覆铜板的技术关键,提出了切实可行的工艺路线,产品 达到国际同类产品先进水平。This paper explains the technical keys for making high Tg low εr CCL and put forward a practicable manufacturing process. The products made by this process have reached the same quality level of its international counterpart.

关 键 词：玻璃化温度 TG 介电常数 εr 覆铜板 高频电路 工艺设计 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]