微细条形NiFe薄膜元件在磁化和反磁化过程中磁畴结构的变迁过程  

The Transition Process of Magnetic Domain Structures During Magnetization and Magnetization Reversal in Small NiFe Thin Film Stripe

作　　者：余晋岳[1] 朱军[1] 周狄[1] 钱建国[1] 蔡炳初[1] 赵小林[1] 

机构地区：[1]上海交通大学信息存储研究中心

出　　处：《功能材料》2000年第5期481-483,共3页Journal of Functional Materials

摘　　要：详细观察了长条形NiFe薄膜元件 (宽 12 0 μm ,厚40nm)沿难轴方向 (长方向 )磁化和反磁化过程中磁畴结构变迁的全过程。观察表明 ,在磁化过程中 ,磁化转动和不可逆畴壁位移同时存在 ;在反磁化过程中 ,畴壁合并、封闭畴转变和畴壁极性转变是最主要的不可逆因素 ,也是造成元件输出讯号中Barkhausen噪声的主要物理根源。Inthispaper,wehavesystematicallyobservedthetransitionprocessofmagneticdomainstructuresduringmagnetizationandmag netizationreversalalonghard -axisdirection (longitudinaldirection )insmallNiFethinfilmstripewhichwidthandthicknessis 12 0 μmand 40nmrespectively .Itshowsthatduringmagnetizationprocess ,magnetizationrotationandirreversibledomainwalldisplacementarehappenedatthesametime ,duringmagnetizationreversalprocess ,thedomainwallemergence ,thetransitionofclosuredomainsandthetran sitionofdomainwallpolarityarethemainirreversiblefactorsandalsotheoriginofBarkhausennoise .

关 键 词：磁性簿膜元件 磁化 反磁化 磁畴结构 

分 类 号：TQ581[化学工程—精细化工]