4～8GHz倍频程GaAs FET VCO  

4-8 GHz Octave Bandwidth GaAs FET VCO

作　　者：施恩泽[1] 曾耘 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》1993年第2期149-152,共4页Research & Progress of SSE

摘　　要：本文叙述了采用单变容管调谐的4～8GHz共漏反沟道GaAs FET VCO的设计和研究结果。振荡器的直接输出功率大于16.5dBm,功率平坦度为±2dBm,线性度优于3:1(电调灵敏度之比)。并给出了振荡器其他性能。This paper describes the design of an octave bandwidth GaAs FET VCO covering 4-8 GHz. The oscillator is revers channel common-drain configura-tion and single varactor tuned. This paper also reports the experimental results: maximum output power of 16. 5 dBm, power flatness of 2 dBm,and linearity of 3 :1.

关 键 词：GAASFET 电调振荡器 振荡器 

分 类 号：TN752[电子电信—电路与系统]