施恩泽

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4～8GHz倍频程GaAs FET VCO
《固体电子学研究与进展》1993年第2期149-152,共4页施恩泽 曾耘 
本文叙述了采用单变容管调谐的4～8GHz共漏反沟道GaAs FET VCO的设计和研究结果。振荡器的直接输出功率大于16.5dBm,功率平坦度为±2dBm,线性度优于3:1(电调灵敏度之比)。并给出了振荡器其他性能。
关键词：GAASFET 电调振荡器 振荡器 
4-8GHz场效应管压控振荡器
《固体电子学研究与进展》1990年第2期199-199,共1页荣炳麟 施恩泽 
南京电子器件研究所利用本所研制的WC592型功率场效应管和WB64型超突变结变容管,研制成WZB852型4-8GHz场效应管压控振荡器.振荡器采用了当前中、大功率场效应管振荡器常用的反沟道电路,此电路具有调谐范围宽,输出功率大,转换效率高,带...
关键词：场效应管 压控振荡器 变容管 
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