4-8GHz场效应管压控振荡器  

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作  者:荣炳麟[1] 施恩泽[1] 

机构地区:[1]南京电子器件研究所

出  处:《固体电子学研究与进展》1990年第2期199-199,共1页Research & Progress of SSE

摘  要:南京电子器件研究所利用本所研制的WC592型功率场效应管和WB64型超突变结变容管,研制成WZB852型4-8GHz场效应管压控振荡器.振荡器采用了当前中、大功率场效应管振荡器常用的反沟道电路,此电路具有调谐范围宽,输出功率大,转换效率高,带内功率起伏小,单一的电源供给,接地电感小,稳定可靠及能抑制低频寄生振荡等优点.其外形见封底照片.

关 键 词:场效应管 压控振荡器 变容管 

分 类 号:TN752.5[电子电信—电路与系统]

 

参考文献:

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