用Te、Sn双掺杂改善GaAs液相外延层载流子浓度纵向分布均匀性  

作　　者：付 袁炳辉[1] 杨瑞霞[1] 王林海[1] 

机构地区：[1]河北工学院

出　　处：《半导体技术》1994年第2期39-41,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：探索用Ｔｅ、Ｓｎ双掺杂实现掺杂剂分布正负梯度互补改善杂质纵向分布均匀性的外延工艺，讨论了有关问题，报道了主要结果。

关 键 词：砷化镓 液相外延 载流子浓度 分布 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]