PECVDSiN及其在GaAsMESFET中的应用第Ⅱ部分：PECVDSiN的性质及其对GaAs器件性能的影响  

PECVD SiN and Its Application in GaAs MESFET Part Ⅱ:Property of PECVD SiN and Its Effect on GaAs Device Performance

作　　者：罗海云 

出　　处：《半导体情报》1994年第2期57-63,共7页Semiconductor Information

摘　　要：ＰＥＣＶＤＳｉＮ及其在ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ中的应用第Ⅱ部分：ＰＥＣＶＤＳｉＮ的性质及其对ＧａＡｓ器件性能的影响罗海云（电子部第１３研究所，石家庄，０５００５１）ＰＥＣＶＤＳｉＮａｎｄＩｔｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｉｎＧａＡｓＭＥＳＦＥＴＰａｒｔⅡ：Ｐｒ...

关 键 词：氮化硅 等离子结构 场效应晶体管 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]