砷化镓（GaAs）半导体器件、单晶的现状及发展动向  

作　　者：管丕恺[1] 

机构地区：[1]电子部第46研究所

出　　处：《半导体杂志》1994年第4期1-7,共7页

摘　　要：本文从应用角度综合评述了国外近年来砷化镓集成电路、器件和单晶材料领域的进展概况以及目前存在的主要问题，并预测了今后的发展趋势。

关 键 词：GaAs半导体器件 半导体器件 集成电路 单晶 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]