多晶硅敏感技术(连载四)  

Sensing Technology Based on Polycrystalline Silicon (Serial Four)

作　　者：王善慈[1] 

机构地区：[1]电子工业部第49研究所

出　　处：《传感器技术》1994年第4期56-64,共9页Journal of Transducer Technology

摘　　要：5 多晶硅薄膜的压阻效应 目前,多晶硅薄膜在传感器上的应用主要有压力传感器、加速度传感器、应变计、热电传感器及执行器等。对于前几种可归结为力学量传感器,其理论基础是依据于多晶硅的压阻效应。

关 键 词：多晶硅 敏感技术 压阻效应 

分 类 号：TN37[电子电信—物理电子学]