多晶硅敏感技术(连载五)  

Sensing Technology Based on Polycrystalline Silicon (Serial Five)

作　　者：王善慈[1] 

机构地区：[1]电子工业部第49研究所

出　　处：《传感器技术》1994年第5期55-64,共10页Journal of Transducer Technology

摘　　要：6 多晶硅压力传感器 近些年来,随着多晶硅薄膜地深入研究,以在绝缘层上生长多晶硅薄膜(SOI)制作应变电阻器为敏感元件的压力传感器,其优越性已被广大研究者和生产部门所认可。 ①具有较大的压阻效应,最大值可达单晶硅的70％;并呈良好的线性。

关 键 词：多晶硅 敏感技术 压力传感器 

分 类 号：TN379[电子电信—物理电子学]