多晶硅敏感技术(连载六)  

Sensing Technology Based on Polycrystalline Silicon (Serial Six)

作　　者：王善慈[1] 

机构地区：[1]电子工业部第49研究所

出　　处：《传感器技术》1994年第6期55-61,共7页Journal of Transducer Technology

摘　　要：6.4.2金属衬底的多晶硅压力传感器 单晶硅弹性膜片在直接与被测介质接触时抗冲击性差、不利于测量有腐蚀性介质的压力,且大面积单晶硅弹性膜片的成本也大。因此在特定场合用金属薄板作弹性膜片更为有利。

关 键 词：多晶硅 敏感技术 硅 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]