P—沟道多晶硅MOSFET的ON／OFF电流比取决于热载流子应力状态  

作　　者：所升堂 齐保国 

出　　处：《山东半导体技术》1994年第3期51-54,共4页

关 键 词：MOSFET 多晶硅 热载流子 应力状态 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]