无污染进样法分析电子气中的痕量氧  

作　　者：彭永清[1] 李建平[1] 尹恩华[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《低温与特气》1989年第4期56-58,共3页Low Temperature and Specialty Gases

摘　　要：电子工业中使用的高纯气体要求含氧量在0.2～0.05ppm。这不仅要求分析方法灵敏度高,而且还要解决外界氧的污染问题。为了避免在分析进样时环境中的氧对样品气的污染,我们在ZAV—2型微氧仪(日本产)上设计安装了无污染进样装置。同时,

关 键 词：痕量氧 电子气 无污染进样法 

分 类 号：TQ117[化学工程—无机化工]