SOI材料与器件的辐照效应  

Radiation Effect in SOI Material and Devices

作　　者：竺士炀[1] 林成鲁[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

出　　处：《微电子学》1994年第6期42-50,共9页Microelectronics

摘　　要：目前，ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）材料的一个主要用途是用来制作抗辐照电路，本文以ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐｅｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）技术为主，详细论述了ＳＯＩ材料和器件（ＭＯＳＦＥＴ）的辐照特性及其机理，包括总剂量、瞬时和单粒子效应，并以总剂量效应为主。经过恰当的加固工艺和优化设计，可以制造出优良的抗辐照集成电路。One of the many applications of Silicon-On-Insulator(SOI)is for radiation-harderned circuits.Based on SOI by SIMOX .the radiation characteristics and mechanisms of the material and device(MOSFET )are dealt with,including total dose,transient radiation and single upset event ef- fects,with emphasis on total dose effect.Excellent radiation hardened ICs can be fabricated by us- ing proper hardened process and optimal design.

关 键 词：SOI 抗辐照器件 单粒子效应 集成电路 VLSI 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学]