BaF＿2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响  

EFFECT OF CRYSTAL ORIENTATION AND INCIDENT ION FLUENCE ON SPUTIERING FROM ION- IRRADIATED BaF_2

作　　者：陶振兰[1] 王震遐[1] 朱福英[1] 章骥平[1] 潘冀生[1] 周祖尧[1] 沈定中[1] 袁湘龙[1] 华素坤[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海原子核研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所

出　　处：《物理学报》1994年第10期1734-1738,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：２７ｋｅＶＡｒ￣＋离子束沿法向分别入射在ＢａＦ＿２单晶（１１１），（１００）和（１１０）的晶面上，用捕获器方法和Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射分析法测定了Ｂａ原子的溅射角分布和溅射产额。结果发现不同取向的晶体表面，它们的溅射产额有明显差异。当用剂量为５×１０￣１７ｉｏｎ／ｃｍ的Ａｒ￣＋离子分别轰击这三种晶面时，其溅射产额的顺序Ｙ＿（１００）＞ｙ＿（１１１）＞ｙ＿（１１０）．对已被上述剂量辐照过的晶面再作相同剂量轰击时，测得的溅射产额明显增大。这些结果被认为是由于在离子辐照过程中表面晶格受损逐步增大所致。BaF_2 Crystal was irradiated with 27keV Ar￣+ ions along the normal of(111),(100 and(110)planes at a current density of 10μA/cm￣2.Using collector techniqueand RBS analysis,the angular distribution and yield of Ba atoms sputtered fromBaF_2 crystal have been measured as a fuction of orientation and ion fluence. Theobtained angular distrihutions of Ba atoms sputtered are over-cosine type for all spe-cimens.The sputtering yields were strongly dependent on the fluence of the incidentbeam on the targets

关 键 词：氟化钡晶体 取向 剂量 溅射 

分 类 号：O731[理学—晶体学]