用于薄膜制备的射频宽束离子源的设计  

Development of Broad Beam RF Ion Source for Thin Film Growth

作　　者：尤大伟[1] 黄小刚[1] 任荆学[1] 李安杰[1] 

机构地区：[1]中国科学院空间科学与应用研究中心

出　　处：《真空科学与技术学报》2004年第6期451-454,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

摘　　要：采用射频宽束离子源进行离子束辅助镀膜可以获得高性能的光学薄膜 ,已越来越得到人们的共识。本文对射频感应线圈的匹配、起弧及三栅离子光学的关键技术进行了重点考虑 ,并获得了稳定运行的高性能离子源。A novel type of broad beam radio frequency (RF) ion source has been developed to grow optical films by ion beam assisted deposition.Matching of the inductive co ils,discharge property of the ion source and the 3-grid optics were discussed.T he lab-made RF ion source displays stable and satisfactory performance.

关 键 词：宽束 离子源 薄膜制备 光学薄膜 离子束 感应线圈 匹配 射频 镀膜 高性能 

分 类 号：TB43[一般工业技术] O462[理学—电子物理学]