ULSI用CZ硅单晶中的空洞型原生缺陷及其控制  

Void-type Defects and Control in CZ-Si Crystals for ULSI

作　　者：乔治[1] 候哲哲[2] 刘彩池[3] 

机构地区：[1]石家庄铁道学院数理部,石家庄050043 [2]石家庄铁道学院材料科学与工程分院,石家庄050043 [3]河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130

出　　处：《半导体技术》2005年第4期16-19,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学资助项目(60076001);河北省自然科学基金(50032101)

摘　　要：详细阐述了COP、 LSTD 和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型缺陷的方法。研究表明,利用快速退火消除空洞型原生缺陷, 是一种简单而有效的方法。The properties and the formation mechanism of Voids such as COPs, LSTDs and FPDsare discussed. Furthermore, the control methods of Void-type defects are also discussed. Researchindicated that RTA is a simple and effective method to eliminate the Voids.

关 键 词：超大规模集成电路 直拉硅单晶 空洞型原生缺陷 快速退火 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN305.2