离子注入制备n型SiC欧姆接触的工艺研究  

Technical Study of N-Type SiC Ohmic Contact by Ion Implantation

作　　者：刘芳[1] 张玉明[1] 张义门[1] 郭辉[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

出　　处：《半导体技术》2005年第4期24-28,共5页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(6 0 3 7 6 0 0 1 );国家973项目2002CB311904);国防科技重点实验室资助项目(51432040103D0102)

摘　　要：由于杂质在 ＳｉＣ 中的扩散系数很低，所以制备 ＳｉＣ 器件欧姆接触所需要的高掺杂区必须采用离子注入技术。本文采用蒙特卡罗模拟软件 ＴＲＩＭ 模拟得出不同能量不同剂量六次注入杂质的纵向分布图，根据大量文献数据和国内现有的制备水平，提出制备 ｎ 型 ＳｉＣ 欧姆接触最优的工艺流程。Ion implantation is employed widely for local doping in SiC because of the smalldiffusivity of impurities. In this paper, TRIM is used to simulate profiles from different energies anddoses of six times' implantation and the ion implantation optimum processing for n-type SiC ohmiccontact is founded according to large numbers of literatures and domestic processing condition.

关 键 词：离子注入技术 欧姆接触 激活率 退火 

分 类 号：TN305.93[电子电信—物理电子学]