镍包硅导电纳米导线  

作　　者：杨英惠 

出　　处：《现代材料动态》2005年第4期7-7,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：美国哈佛大学制成了用于计算机电路的导电纳米线，这是一种直径20m的硅线外包以镍在550℃加热制成的。这种硅化镍线的电导率非常高。如果仅将部分硅线包上镍，则可制成一部分是硅，而另一部分是镍一硅的导线。这种导线可用于当前半导体硅器件的连线。

关 键 词：纳米导线 导电 包硅 美国哈佛大学 计算机电路 纳米线 制成 电导率 硅化镍 硅器件 半导体 硅线 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] TM243[电气工程—电工理论与新技术]