光刻线宽精度控制的研究  

The Rearch of Photolithography Line Wiclth Precision Control

作　　者：姜立娟[1] 李响[1] 唐拓[1] 

机构地区：[1]东北微电子研究所,沈阳110032

出　　处：《微处理机》2005年第2期12-13,共2页Microprocessors

摘　　要：本文通过对涂胶、曝光等影响线宽参数的工艺进行实验,制定了一套工艺规范,使光刻线宽控制在±1 0 %以内。Through the process experiment which influence line width such as pasting resist,exposure etc.establishes a set of process specification,and control the photolithography line width in the range of ±10%,improves the photolithography process level.

关 键 词：光刻 线宽 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学]