ATF-52189／ATF-53189：高线性度E-pHEMT FET产品系列  

出　　处：《世界电子元器件》2005年第4期86-86,共1页Global Electronics China

摘　　要：安捷伦科技公司日前宣布在其高线性度E-pHEMT(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)FETs(场效应管)产品系列中增加两款采用4．5mm×4．1mm×1．5mm行业标准表面封装的SOT-89新产品。通过采用行业标准封装，ATF-52189和ATF-53189及早先推出的ATF-50189单电压E-pHEMT FET进一步简化了将50MHz～6GHz基站升级到更高通道容量的工作。

关 键 词：E-PHEMT 高线性度 产品系列 增强模式伪形态高电子迁移率晶体管 FET 安捷伦科技公司 行业标准 表面封装 场效应管 单电压 基站 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统] TP213[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]