E-PHEMT

作品数:30被引量:14H指数:2
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相关机构:中国电子科技集团第十三研究所西北工业大学专用集成电路与系统国家重点实验室中国人民解放军空军雷达学院更多>>
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X波段超低功耗限幅低噪声放大器芯片的设计
《电子技术(上海)》2024年第8期56-58,共3页王测天 廖学介 刘莹 王为 羊洪轮 童伟 
阐述基于GaAs工艺开发一款9~10.2GHz限幅低噪声放大器单片微波集成芯片(MMIC)。该芯片限幅器基于I-Layer 1μm厚度的PIN二极管工艺,低噪声放大器基于增强型E-pHMET工艺,并将先限幅器和低噪声放大器集成在同一衬底,实现一片式开发。该MMI...
关键词:电路设计 GaAsE-pHEMT PIN 限幅低噪放 MMIC 超低功耗 
9~15 GHz GaAs E-PHEMT高性能线性功率放大器被引量:7
《半导体技术》2017年第7期489-492,498,共5页魏碧华 蔡道民 武继斌 
国家03专项资助项目(2016ZX03001005)
基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用栅宽比为1∶4.4的两级放大结构保证了电路的增益和功率指标满足要求;基于大信号模...
关键词:增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 功率放大器 GAAS 功率附加效率(PAE) 
基于E-PHEMT技术的宽带、高线性和微型封装放大器研究
《中国新技术新产品》2016年第16期1-3,共3页严评 蔡道民 李明磊 
基于Ga As E-PHEMT工艺,采用负反馈和宽带有耗匹配技术,实现宽带、高线性MMIC放大器芯片;基于多层陶瓷工艺,制作密封性好、可靠性高的封装外壳。结合二者,基于多物理场联合设计、仿真和优化,实现宽带、高线性和小型化功率放大器。该放...
关键词:E-PHEMT MMIC 高线性 宽带 微型封装 
E-PHEMT微波宽带放大器的静电防护电路设计被引量:1
《军械工程学院学报》2014年第3期36-39,共4页王乔楠 付丽欣 
国家自然科学基金项目(6097042)
为提升E-PHEMT微波宽带放大器的抗静电能力,在分析放大器3个端口电路结构的基础上,兼顾静电保护效果、电路尺寸、微波特性与被保护电路的有机结合,提出基于PIN二极管作为基本组成元件的微波宽带放大器静电保护电路的设计方法和思路,并...
关键词:宽带放大器 静电放电 防护电路 PIN二极管 
一种增强型E-PHEMT管的宽带低噪声放大器设计
《中国科技博览》2012年第9期117-118,共2页张杨 
1引言LownoiseamDlifier(LNA)isamodemmicrowavecommunication,radar.electronicwarfaresystemimportantcomponent,itisinthefront0fthereceivingsystem.theantennareCeiyestheweakRFsignallinearamplification,whilesuppressing...
关键词:E-PHEMT 放大器设计 低噪声 增强型 宽带 RADAR 
E-PHEMT射频功率放大器的设计与仿真被引量:1
《计算机仿真》2011年第6期375-378,388,共5页徐琪 
针对实现功率放大器输出端获得最大输出功率,放大器设计主要保证能减小失真,增加线性度,就可以提高功率,为此提出了一种利用负载牵引法找出功率放大器的最大输出功率时的最佳外部负载阻抗ZL的方法。并通过实例对中心频率为3GHz,带宽为1...
关键词:负载牵引法 功率放大器 功率增益 
高线性度PHEMT达林顿放大器被引量:2
《固体电子学研究与进展》2010年第2期218-221,250,共5页李晓倩 钱峰 郑远 
使用E-PHEMT工艺,结合有源自偏置技术与达林顿放大器技术,制作一种新型E-PHEMT达林顿反馈放大器。相较于传统结构,这种新型结构具有显著的两大优点,采用E-PHEMT的技术使放大器线性度获得较大提高。在0.5~3 GHz的频率范围内,5 V供电电压...
关键词:E-PHEMT 达林顿 有源自偏置 宽带 高线性度 
S波段低噪声放大电路设计被引量:2
《现代电子技术》2009年第24期15-17,共3页翁呈祥 高玉良 张路 
使用基于E-PHEMT新型工艺的放大器ATF-54143,设计通信系统中低噪声放大电路模块。首先将ATF-54143模块的参数导入ADS仿真软件中,然后设计电路的直流偏置工作点,最后根据输入/输出端口仿真的得出阻抗特性设计匹配电路,将设计电路制...
关键词:E-PHEMT 增益 稳定性 ADS仿真 
应用于移动无线局域网的微型802.11b/g功率放大器
《今日电子》2006年第5期94-94,共1页
MGA-412P8是一款E-pHEMT功率放大器,采用2mm×2mm的LPCC封装。在2.452GHz和3.3V偏压下工作时,它能实现25.5dB的增益和+19dBm的线性功率输出;采用速率为54Mbps的IEEE802.11g OFDM进行调节时,EVM(误差矢量幅度)为3%,
关键词:功率放大器 802.11b 无线局域网 IEEE802.11G E-PHEMT 微型 应用 误差矢量幅度 LPCC 功率输出 
基于E-PHEMT的LNA电路的设计被引量:1
《世界电子元器件》2006年第1期32-32,34-36,共4页吴鹏 
LNA在今天的通信系统中多用在接收机前端的第一级。它的主要功能是在不添加额外噪声的情况下尽量放大输入小信号,从而在低功率点上保证所需的信噪比。另外,对于大信号,LNA应该尽量做到在不失真的情况下放大输入信号,因而在消除信道...
关键词:E-PHEMT LNA 设计 电路 接收机前端 通信系统 输入信号 信道串扰 小信号 外噪声 
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