基于E-PHEMT技术的宽带、高线性和微型封装放大器研究  

作　　者：严评 蔡道民[1] 李明磊[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《中国新技术新产品》2016年第16期1-3,共3页New Technology & New Products of China

摘　　要：基于Ga As E-PHEMT工艺,采用负反馈和宽带有耗匹配技术,实现宽带、高线性MMIC放大器芯片;基于多层陶瓷工艺,制作密封性好、可靠性高的封装外壳。结合二者,基于多物理场联合设计、仿真和优化,实现宽带、高线性和小型化功率放大器。该放大器频率覆盖DC^3GHz,增益大于14d B,P-1功率大于23.5d Bm;P-1下PAE大于40%,OIP3大于39dbm,噪声小于3.4d B,输入驻波和输出驻波小于1.5(2GHz)。采用恒流镜像偏置,+5V单电源供电,工作电流小于110m A,封装尺寸仅为4.5mm×2.5mm×1.8mm。可广泛应用于通信等领域。

关 键 词：E-PHEMT MMIC 高线性 宽带 微型封装 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]