微型封装

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英飞凌推出全球首款采用微型封装的工业级eSIM卡
《电子质量》2019年第1期59-60,共2页
物联网(IoT)中的M2M通信要求可靠的数据收集和不间断的数据传输。为充分利用无处不在的移动网络,英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出全球首款采用微型晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)的工业级嵌入式SIM(eSIM)卡。从自动售货机到远...
关键词:工业级嵌入式 微型封装 英飞凌 SIM卡 芯片尺寸封装 自动售货机 设备制造商 数据传输 
质量为本:英飞凌推出全球首款采用微型封装的工业级eSIM卡 完整的一站式解决方案实现多传感器应用在网络边缘的快速配置
《电源世界》2018年第12期11-11,共1页
2018年12月24日,德国慕尼黑讯—物联网(IoT)中的M2M通信要求可靠的数据收集和不间断的数据传输。为充分利用无处不在的移动网络,英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出全球首款采用微型晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)的工业级嵌入式S...
关键词:英飞凌 芯片尺寸 
ICM-20789 7轴运动和压力传恧器 应美盛半导体公司
《传感器世界》2018年第3期50-50,共1页
TDK集团旗下子公司InvenSense的ICM-20789是业界首款7轴惯性和气压传感器,在4mm×4mm微型封装中集成了3轴陀螺仪、3轴加速度计、数字运动处理器TM(DMP)和超低噪声MEMS电容式气压传感器。
关键词:半导体公司 运动 气压传感器  压力 微型封装 加速度计 MEMS 
意法推出双面散热微型封装MOSFET晶体管
《新材料产业》2017年第7期78-78,共1页
意法半导体(ST)推出采用先进PowerFLAT^TM5×6双面散热封装的MOSFET晶体管,新品可提升汽车系统电控单元的功率密度,已被汽车零配件大厂电装株式会社(Denso)所选用,该公司提供全球所有主要车厂先进的汽车技术。
关键词:MOSFET 微型封装 晶体管 散热 双面 意法半导体 汽车零配件 功率密度 
ST推出5×6mm双面散热微型封装汽车级功率MOSFET管
《半导体信息》2017年第3期19-20,共2页
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。
关键词:MOSFET管 微型封装 功率密度 汽车系统 散热 双面 ST 意法半导体 
高性能电机驱动产品系列
《今日电子》2017年第6期47-47,共1页
意法半导体扩大其微型低压高能效电机驱动器产品组合,推出面向电池供电的便携和穿戴设备的STSPIN2502.6A有刷直流电机单片驱动器。新驱动器芯片在一个能够节省便携设备空间的3mm×3mm微型封装内,集成一个功率MOSFET全桥和一个关断时...
关键词:电机驱动器 功率MOSFET 品系 性能 有刷直流电机 便携设备 电池供电 微型封装 
意法半导体推出5mm×6mm双面散热微型封装汽车级功率MOSFET管被引量:1
《世界电子元器件》2017年第5期38-,共1页
意法半导体推出了采用先进的Power FLATTM 5mm×6mm双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。STLD200N4F6AG和STLD125N4...
关键词:MOSFET 微型封装 汽车 
面向物联网硬件的2.6A微型有刷直流电机驱动器芯片
《今日电子》2017年第5期62-62,共1页
新驱动器芯片在一个能够节省便携设备空间的3mmx3mm微型封装内,集成一个功率MOSFET全桥和一个关断时间固定的PWM电流控制器。功率级的低导通电阻(上桥臂+下桥臂总共200mΩ)和市场上最低的待机功耗(小于80n A)有助于最大限度延长便...
关键词:电机驱动器 微型封装 芯片 功率MOSFET 物联网 直流 硬件 便携设备 
微型封装MCU简化可穿戴设备设计
《今日电子》2016年第12期64-64,共1页
基于ARM Cortex-M4F内核的MAX32630和MAX32631微控制器可帮助设计者轻松开发高性能健身与医疗可穿戴设备。MAX32630和MAX32631的高级电源管理功能可以最大程度地延长工作时间,确保在工作状态(127μW/MHz)、DMA(32μW/MHz)及睡眠...
关键词:设备设计 微型封装 MCU 电源管理功能 微控制器 工作时间 工作状态 ARM 
基于E-PHEMT技术的宽带、高线性和微型封装放大器研究
《中国新技术新产品》2016年第16期1-3,共3页严评 蔡道民 李明磊 
基于Ga As E-PHEMT工艺,采用负反馈和宽带有耗匹配技术,实现宽带、高线性MMIC放大器芯片;基于多层陶瓷工艺,制作密封性好、可靠性高的封装外壳。结合二者,基于多物理场联合设计、仿真和优化,实现宽带、高线性和小型化功率放大器。该放...
关键词:E-PHEMT MMIC 高线性 宽带 微型封装 
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