用横向固相外延在低温下形成SOI结构  

作　　者：M.Miyao 蔡永才 

机构地区：[1]日立制作所中心研究实验室

出　　处：《微电子学》1989年第5期78-83,共6页Microelectronics

摘　　要：本文对用固相外延工艺在低温(550～600℃)下形成绝缘体上硅结构进行了研究。通过微探针(μ)反射高能电子衍射观察发现,固相外延(SPE)的定向晶体生长是从引晶区开始扩展的。分析了随机核化、外延对准和局部掺杂对横向固相外延(L-SPE)产生的各种影响。结果表明,在绝缘区上可获得一个相当大的L-SPE区域,这个区域从引晶区开始可向外延伸14μm。通过使用μ-拉曼能谱分析和场效应晶体管的制作研究了L-SPE层的晶体质量和电特性。其应力场(2.5×10~9达因/cm^2)和高电子迁移率(720cm^2/Vs)可与体硅相比。

关 键 词：SOI结构 固相外延 低温 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]