采用氧化多孔硅埋层的SOI工艺  

作　　者：Kathy Barla 蔡菊荣 

出　　处：《微电子学》1989年第5期52-56,共5页Microelectronics

摘　　要：在n/n^+/n结构的高浓度掺杂层上形成了多孔硅。多孔硅完全氧化以后,在隔离的单晶硅岛上制作CMOS器件。经测量,迁移率与体硅差不多,而且,硅的漏电很小。

关 键 词：SOI工艺 多孔硅 埋层 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]