HRL制造出GaN基功放MMIC  

出　　处：《电子元器件应用》2005年第4期51-51,共1页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：美国休斯研究所(HRL)称，他们制造出具有前所未有性能的两款GaN基HFET放大器MMIC。

关 键 词：MMIC GAN 制造 功放 FET放大器 研究所 

分 类 号：TN454[电子电信—微电子学与固体电子学] TN304.23