剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用  

Application of Stripping Technique to GaN-based UV Image Sensor

作　　者：叶嗣荣[1] 肖灿[2] 黄烈云[1] 向勇军[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060 [2]重庆邮电学院光电学院,重庆400065

出　　处：《半导体光电》2005年第2期115-117,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：采用剥离技术,实现了GaN 基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接,对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用。介绍了剥离技术的原理,实验结果分析及应用。By using the stripping technique, the flip-chip bonding between GaN ultraviolet (UV) detectors and Si readout integrated circuits is realized to improve the electrical characteristics of GaN-based UV image sensors. The theory, result analysis and applications of stripping technique are introduced.

关 键 词：ALGAN 剥离技术 紫外探测器 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]