向勇军

作品数：9被引量：23H指数：3
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一种单片集成的光接收电路的设计被引量：1
《半导体光电》2016年第6期776-778,共3页邓光平 向勇军 刘昌举 钟四成 李仁豪 
基于一种光接收器件的电路结构,利用硅基BJT工艺对光电二极管和接收电路进行了设计。通过引入辅助开关电路以及双结光电二极管,提高了输出晶体管的关断速度。测试结果显示,该光接收电路在870nm波长下的数据速率可达到10MBd。
关键词：光接收电路 跨阻放大器 光电二极管 光通信 
大面积枕型二维位敏探测器的研制被引量：2
《半导体光电》2014年第2期211-213,共3页黄烈云 莫彦祎 向勇军 
在简要分析二维位敏探测器工作原理的基础上,详细介绍了一种大面积枕型二维位敏探测器的结构设计和制作工艺。对器件响应度、暗电流、位置分辨率,以及位置线性度等性能参数进行了分析。测试结果显示,器件在峰值波长λp=930nm处的响应度...
关键词：二维位敏探测器 大面积 枕型 横向光电响应 Gear定理 
硅基650nm增强型光电探测器被引量：5
《半导体光电》2012年第4期483-485,共3页黄烈云 向勇军 孙诗 
通过在硅PIN结构的基础上进行改进,采用硅P+PIN结构,研制出650nm增强型光电探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应度、暗电流和响应速度等参数进行计算与分析。实验结果表明,器件响应度达0.448A/W(λ=650nm),暗电流达到...
关键词：增强型光电探测器 PIN 响应度 
高阻p型硅大面积四象限探测器的研制被引量：1
《半导体光电》2012年第3期364-366,共3页向勇军 黄烈云 李作金 
采用PIN结构,研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行了计算与分析。实验结果表明,器件响应度达到0.45A/W(λ=1.06μm),暗电流小于50nA(Vr=135V),...
关键词：高阻p型硅 四象限探测器 串扰 
Al_xGa_(1-x)N日盲紫外探测器及其焦平面阵列被引量：5
《半导体光电》2009年第1期21-24,共4页赵文伯 赵红 叶嗣荣 黄烈云 唐遵烈 罗木昌 杨晓波 廖秀英 向勇军 邹泽亚 
报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况，介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3．5V，-0．5V偏压时暗电流小于1．2×10^-12A（φ=300ttm台面），光谱响应范围260～28...
关键词：ALXGA1-XN 日盲探测器 紫外焦平面阵列 PIN光电二极管 
日盲型AlGaN PIN紫外探测器的研制被引量：6
《半导体光电》2007年第3期342-344,共3页黄烈云 吴琼瑶 赵文伯 叶嗣荣 向勇军 刘小芹 黄绍春 
采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿...
关键词：紫外探测器 ALGAN 日盲 刻蚀 欧姆接触 
硅PIN光电二极管光谱响应特性的数值模拟计算被引量：1
《半导体光电》2006年第6期690-693,共4页张卓勋 但伟 王波 向勇军 赵珊 鲁卿 
对硅PIN光电二极管的光谱响应特性作了详细的分析计算,得到了硅PIN光电二极管光谱响应的计算公式;给出了器件光谱响应曲线的绘制方法。实测数据与公式计算结果吻合较好。讨论了器件工艺参数变化对光谱响应的影响。
关键词：数值计算 光谱响应 硅光电二极管 
64×64元GaN基紫外图像传感器的设计被引量：1
《半导体光电》2005年第B03期70-72,136,共4页江永清 李应辉 黄烈云 肖灿 叶嗣荣 向勇军 
介绍了64×64元GaN基紫外图像传感器的结构设计和制作过程，以及需要注意的关键技术。
关键词：紫外 图像传感器 GAN ALGAN 
剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用被引量：1
《半导体光电》2005年第2期115-117,共3页叶嗣荣 肖灿 黄烈云 向勇军 
采用剥离技术,实现了GaN 基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接,对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用。介绍了剥离技术的原理,实验结果分析及应用。
关键词：ALGAN 剥离技术 紫外探测器 
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