李作金

作品数:7被引量:14H指数:2
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发文主题:CCDPTSI肖特基势垒红外焦平面列阵光腔更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
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高阻p型硅大面积四象限探测器的研制被引量:1
《半导体光电》2012年第3期364-366,共3页向勇军 黄烈云 李作金 
采用PIN结构,研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行了计算与分析。实验结果表明,器件响应度达到0.45A/W(λ=1.06μm),暗电流小于50nA(Vr=135V),...
关键词:高阻p型硅 四象限探测器 串扰 
512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器被引量:4
《半导体光电》2003年第3期154-156,共3页熊平 周旭东 邓光华 李作金 王颖 李华高 袁礼华 蒋志伟 
研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40%。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜...
关键词:PTSI CCD 图像传感器 
氦诱生微孔对硅二极管漏电流特性的改善
《半导体光电》2003年第2期131-134,共4页唐有青 李恒 游志朴 张坤 李仁豪 李作金 
 高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔。以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标,研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响。在适当的热处理温度和冷却条件下,观测到二极管反向漏电流的显...
关键词:氦诱生微孔 二极管 热处理 漏电流 微孔吸杂技术 
4096位线阵CCPD摄像器件被引量:1
《半导体光电》1994年第4期350-354,共5页李作金 杨亚生 
国防科工委预研项目资助
采用双线型三相埋沟结构,设计并研制成功4096位线阵CCPD摄像器件。器件动态范围达600:1,暗电流密度为10nA/cm ̄2。文章阐述了该器件的工作原理、结构设计和制作工艺。
关键词:CCPD 双线型结构 等平面工艺 摄像器件 
高性能128×128元 PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵被引量:7
《半导体光电》1993年第2期127-133,共7页杨家德 李作金 杨亚生 
国家"863"基金项目
设计并研制成功128×128元 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)焦平面列阵。介绍了该器件的工作原理。阐述了器件结构和设计思想,并就器件的性能参数进行了研究。
关键词:焦平面列阵 光腔 埋沟 肖特基势垒 
1024位CCD模拟延迟线的研制
《半导体光电》1991年第3期271-275,共5页李作金 张平 
本文介绍了我所研制的1024位CCD模拟延迟线的基本原理和结构设计,着重讨论了器件参数及提高器件参数的途径。
关键词:CCD 模拟延时线 信号处理器件 
CCD拼接技术研究被引量:1
《半导体光电》1991年第2期109-113,118,共6页李作金 杨亚生 黄大恒 
为满足一些特殊领域对高位数线阵CCD的需要,我们用两个线阵2048位单列CCPD进行拼接,构成了4096位CCPD。用于拼接的2048位CCPD是采用埋沟三相三层多晶硅交迭栅埋沟结构。分析研究了器件的几何结构和性能参数。测试表明:器件光谱响应范围...
关键词:电荷耦合器件 拼接技术 CCD 
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