ALXGA1-XN

作品数：19被引量：16H指数：2
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流体静压力对纤锌矿AlyGa1-yN/AlxGa1-xN三角量子阱中极化子效应的影响被引量：1
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2019年第3期257-264,共8页代晓梅 潘虹宇 赵凤岐 
国家自然科学基金资助项目(11664031,11264027)
研究了纤锌矿AlyGa1-yN/AlxGa1-xN三角量子阱和GaN/AlxGa1-xN方量子阱中流体静压力对极化子能量和电子-声子相互作用对极化子能量的贡献(极化子效应)的影响.给出极化子基态能量、跃迁能量以及极化子效应随流体静压力p和组分x的变化关系...
关键词：纤锌矿三角量子阱 流体静压力 极化子效应 
Structural characterization of Al_(0.55)Ga_(0.45)N epitaxial layer determined by high resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy
《Chinese Physics B》2017年第4期468-471,共4页徐庆君 刘斌 张士英 陶涛 谢自力 修向前 陈敦军 陈鹏 韩平 张荣 郑有炓 
Project supported by the National Key Research and Development Project of China(Grant No.2016YFB0400100);the Hi-tech Research Project of China(Grant Nos.2014AA032605 and 2015AA033305);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61274003,61422401,51461135002,and61334009);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province,China(Grant Nos.BY2013077,BK20141320,and BE2015111);the Project of Green Young and Golden Phenix of Yangzhou City,the Postdoctoral Sustentation Fund of Jiangsu Province,China(Grant No.1501143B);the Project of Shandong Provinceial Higher Educational Science and Technology Program,China(Grant No.J13LN08);the Solid State Lighting and Energy-saving Electronics Collaborative Innovation Center,Priority Academic Program Development of Jiangsu Higher Education Institutions(PAPD);Research Funds from NJU–Yangzhou Institute of Opto-electronics
Structural characteristics of Alo.55 Gao.45N epilayer were investigated by high resolution x-ray diffraction（HRXRD）and transmission electron microscopy（TEM）;the epilayer was grown on GaN/sapphire substrates using ...
关键词：ALXGA1-XN high-temperature AlN interlayer high resolution x-ay diffraction transmission elec-tron microscopy 
纤锌矿AlN/Al_xGa_(1-x)N/AlN量子阱中界面光学声子对电子迁移率的影响
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2013年第4期367-375,共9页王志强 屈媛 杨福军 班士良 
国家自然科学资助项目基金(批准号:61274098)
对三元混晶纤锌矿AlN/AlxGa1-xN/AlN量子阱,通过数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得二维电子气中电子的本征态和本征能级.利用雷-丁平衡方程,讨论该体系中界面光学声子对电子迁移率的影响.在计算中,对AlxGa1-xN中的体纵声子采用修...
关键词：ALN ALXGA1-XN AlN量子阱 电子迁移率 二次多项式拟合 三元混晶效应 
纤锌矿结构混晶Al_xGa_(1-x)N中的光学声子和极化子
《天津师范大学学报（自然科学版）》2013年第3期35-38,共4页张芳 李艳 李伟 危书义 
河南城建学院2013年度科学研究基金资助项目(2013JYB013)
由于声子和极化子对纤锌矿结构混晶和由其组成的量子阱的物理性质存在重要影响,采用赝原胞模型法计算纤锌矿结构混晶中Γ点的光学声子频率与组分x的关系,运用微扰的方法计算纤锌矿结构混晶中极化子有效质量mi*和能量迁移Ei随组分x的变...
关键词：赝原胞模型法 光学声子 极化子 纤锌矿结构混晶 ALXGA1-XN 
^(60)Coγ射线对高铝组分Al_(0.5)Ga_(0.5)N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响被引量：1
《物理学报》2013年第7期323-328,共6页张孝富 李豫东 郭旗 罗木昌 何承发 于新 申志辉 张兴尧 邓伟 吴正新 
采用60Coγ射线源对高铝组分Al0.5Ga0.5N盲紫外p-i-n结构光探测器和Si基可见光p-i-n结构探测器进行了累计剂量分别为0.1,1,10Mrad(Si)总剂量辐照实验.实验发现,随着辐照剂量的增加,AlGaN盲紫外p-i-n结构光探测器的理想因子显著增大,辐...
关键词：高铝组分AlxGa1-xN γ射线辐射效应 理想因子 欧姆接触 
Theoretical Study on the Optical and Electrical Properties of Al<sub><i>x</i></sub>Ga<sub>1-<i>x</i></sub>N Crystals
《Journal of Modern Physics》2013年第3期452-457,共6页Xuewen Wang Yuzhou Jing Xinkang Zhu Chan Liu Jiangni Yun Zhiyong Zhang 
By making use of the density functional theory (DFT) of the first principles and generalized gradient approximation method, the electronic structures and properties of ideal GaN and AlxGa1-xN crystals (x = 0.25, 0.5, ...
关键词：DFT ALXGA1-XN Crystal Electronic Structure Properties 
p-GaN/p-AlxGa1-xN异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响被引量：2
《物理学报》2012年第21期405-410,共6页王晓勇 种明 赵德刚 苏艳梅 
国家自然科学基金(批准号:60776047);国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA03Z401)资助的课题~~
通过自洽求解一维泊松方程和薛定谔方程,得到了p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处的价带结构和二维空穴气(2DHG)分布,研究了A1组分和压电极化效应对界面处2DHG性质的影响,给出了异质界面处2DHG的面密度、浓度分布以及价带结构.实验结...
关键词：p-AlGaN 压电极化 二维空穴气 欧姆接触 
AlxGa1-xN及掺MgAl0．54Ga0．46N的阴极荧光特性
《光学学报》2012年第F12期221-224,共4页丁煜 刘斌 崔影超 赵红 谢自力 张荣 陈鹏 修向前 郑有炓 
国家973计划（2011CB301900,2012CB619304）、国家863计划（2011AA03A103）、国家自然科学基金（60990311,60820106003,60906025,60936004,61176063）、江苏省自然科学基金（BK2011010,BK2010385,BK2010178）、霍英东教育基金（122028）和高等学校博士学科点专项科研基金（20090091120020）资助课题.
使用A1N插入层方法由金属有机化学气相沉积（MOCVD）在GaN上生长的不同A1组分的AlxGa1-xN以及掺MgAl0.54Ga0.45N。使用阴极荧光的测试方法先后对未掺杂AlxGa1-xN和掺杂Mg的Al0.54Ga0.46N的光学性质进行了研究。研究表明，随着Al组分增...
关键词：材料 A1GaN薄膜 阴极荧光 Mg掺杂 p-A1GaN 
化学有序Al_xGa_(1-x)N合金的第一性原理研究(英文)
《湘潭大学自然科学学报》2011年第2期10-16,共7页潘正贵 唐壁玉 凡头文 杨芳 武健 王继伟 
国家自然科学基金项目(50861002,51071053);湖南省材料设计与制备工艺重点实验室开放项目(KF0803)
基于第一性原理方法系统研究了化学有序结构AlxGa1-xN合金的结构特征和电子性质.结果表明:随着组分x的增大,化学有序结构AlxGa1-xN合金的晶格常数逐渐减小,而结构稳定性变强.计算的电子结构揭示:化学有序结构AlxGa1-xN合金是直接带隙半...
关键词：ALXGA1-XN 化学有序 能带结构 第一性原理 半导体 
Effect of Indium Ambient on Electrical Properties of Mg-Foped AlxGa1-xN
《Chinese Physics Letters》2010年第12期181-183,共3页许正昱 秦志新 桑立雯 张延召 沈波 张国义 赵岚 张向锋 成彩晶 孙维国 
Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 60876041, 60577030, 60736033 and 10774001, and the National Basic Research Program of China under Grant Nos 2006CB604908 and 2006CB921607, and the National Key Basic Research Program of China under No TG2007CB307004.
Mg-doped AlxGa1-xN epilayers were grown on AlN/sapphire templates by metal organic chemical vapor depo- sition （MOCVD） using an indium-assisted growth method. At room temperature, the resistivity of Mg-doped Alo.43G...
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