AlxGa1-xN及掺MgAl0．54Ga0．46N的阴极荧光特性  

Cathoderayluminescence of AlxGa1-x N and Mg-Doped Al0.54Ga0.46N

作　　者：丁煜[1] 刘斌[1] 崔影超[1] 赵红[1] 谢自力[1] 张荣[1] 陈鹏[1] 修向前[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程学院江苏省光电功能材料重点实验室,江苏南京210093

出　　处：《光学学报》2012年第F12期221-224,共4页Acta Optica Sinica

基　　金：国家973计划（2011CB301900,2012CB619304）、国家863计划（2011AA03A103）、国家自然科学基金（60990311,60820106003,60906025,60936004,61176063）、江苏省自然科学基金（BK2011010,BK2010385,BK2010178）、霍英东教育基金（122028）和高等学校博士学科点专项科研基金（20090091120020）资助课题.

摘　　要：使用A1N插入层方法由金属有机化学气相沉积（MOCVD）在GaN上生长的不同A1组分的AlxGa1-xN以及掺MgAl0.54Ga0.45N。使用阴极荧光的测试方法先后对未掺杂AlxGa1-xN和掺杂Mg的Al0.54Ga0.46N的光学性质进行了研究。研究表明，随着Al组分增大，横向组分分凝对A1GaN发光强度的影响逐渐减小；掺Mg后AlGaN薄膜质量下降，并且Al0.54Ga0.46N中的Mg相关光激发过程主要取决于导带-受主对复合发射和施主一受主对复合发射。AlxGa1-x N with different composition of AI and Mg-doped Al0.54 Ga0.46 N films are grown on thick GaN template by metal organic chemical vapor deposition （MOCVD） with an AIN interlayer. The cathoderayluminescence measuring method is used to study the optical properties of AlxGa1-x N and Mg-doped Al0.54 Ga0.46 N. The lateral phase separation of AlGaN and its influence on the luminous intensity are found to be smaller while the composition of Al increases. The doped-Mg leads to the reduction of the film quality. The main optical excitation process involved Mg of Mg-doped A10.54 Gao.46 N relates to conduction bound-acceptor complex emission and donor-acceptor complex emission.

关 键 词：材料 A1GaN薄膜 阴极荧光 Mg掺杂 p-A1GaN 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学] TN304.055