高k绝缘层研究动态  

Recent Researching Trends in the High-k Insulating Layer

作　　者：翁寿松[1] 

机构地区：[1]无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡214002

出　　处：《微纳电子技术》2005年第5期220-223,248,共5页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的问题。The demand of the ITRS2003 for the high-k insulating layer material,basic claim of the high-k insulating layer material,the research achievements of the high-k insulating material especially HfSiON material and the problems in research are introduced.

关 键 词：高k绝缘层 栅结构 栅介质 HfSiON薄膜 

分 类 号：O484[理学—固体物理]