Er注入Si的芦瑟夫背散射和发光研究  

作　　者：李仪[1] 李菊生[1] 金亿鑫[1] 时伯荣[1] 蒋红[1] 翟宏营[1] 刘学彦[1] 刘向东[1] 

机构地区：[1]中国科学院长春物理研究所,山东大学物理系

出　　处：《中国稀土学报》1994年第3期222-224,共3页Journal of the Chinese Society of Rare Earths

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：用芦瑟夫背散射（ＲＢＳ）和光致发光（ＰＬ）研究了Ｅｒ注入Ｓｉ的退火性质。ＲＢＳ分析表明，退火时，损伤层再结晶的同时伴随着Ｅｒ向表面迁移。退火后，Ｅｒ浓度峰的深度与表面剩余损伤层的深度是一致的。Ｅｒ在Ｓｉ中主要占据非替位。大量间隙Ｅｒ的存在延缓了损伤层的再结晶。在７７Ｋ观察到了与Ｅｒ有关的位于１．５４６μｍ的ＰＬ。

关 键 词：发光 铒 硅 离子注入 卢瑟福背散射 

分 类 号：O614.344[理学—无机化学]