单元素半导体量子点制备及其光致发光性能的研究进展  

作　　者：刘俊朋[1] 杜希文[1] 孙景[1] 鲁颖炜[1] 

机构地区：[1]天津大学材料学院，天津300072

出　　处：《材料导报》2004年第F04期225-226,229,共3页Materials Reports

摘　　要：单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能。介绍了单元素半导体量子点的制备方法，包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等；并且介绍了单元素半导体量子点的发光机理模型，包括量子限制效应模型、与氧有关的缺陷发光、量子限制效应-发光中心复合发光和界面层中的激子效应发光等；另外对单元素半导体量子点的发展前景进行了展望。

关 键 词：半导体量子点 光致发光性能 元素 研究进展 射频磁控溅射技术 化学气相沉积法 离子注入技术 溶胶-凝胶法 量子限制效应 光电集成 制备方法 机理模型 效应模型 激子效应 复合发光 发光中心 发展前景 界面层 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理] O631.24[理学—物理]