HBT小信号等效电路参数解析提取  

Analytical Parameter Extraction of the HBT Small-signal Equivalent Circuit

作　　者：汪洁[1] 孙玲玲[1] 刘军[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学CAD所,杭州310018

出　　处：《固体电子学研究与进展》2005年第2期207-210,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国防科技重点实验室基金资助课题(项目编号:51432070101DE0401);浙江省重大科技计划项目(编号:2004C21044)

摘　　要：提出一种求解异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路模型的解析方法。在提取过程中,采用集电极开路测量和直流测量相结合的方法,精确提取到了具有物理意义的唯一的外部串联电阻值,并在精确提取非本征参数的基础上,直接提取本征参数。较大频率范围S参数的计算值与测量值有很好的吻合。This paper discussed an analytical method for determining the heterojunction bipolar transistors (HBTs) equivalent circuit model.During the extraction,we used a method which combined the open-collector and DC measurements to accurately extract unique and physical value of extrinsic resistance.Then directly determining the intrinsic elements based on extrinsic elements are accurately extracted.The excellent agreement between the measured and simulated parameters was verified in the broader frequency range.

关 键 词：异质结双极晶体管 参数提取 小信号等效电路 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]