X波段宽带单片低噪声放大器  

Design of X-band Broadband Low Noise Amplifier MMIC

作　　者：李芹[1] 王志功[1] 熊明珍[1] 夏春晓[1] 

机构地区：[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096

出　　处：《固体电子学研究与进展》2005年第2期211-214,共4页Research & Progress of SSE

摘　　要：从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9～14GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT工艺(fT=60GHz)研制了芯片。在片测试结果为在9～14GHz,噪声系数<2.5dB,最小噪声系数在10.4GHz为2.0dB,功率增益在所需频段9～14GHz大于21dB,输入回波损耗<-10dB,输出回波损耗<-6dB。在11.5GHz,输出1dB压缩点功率为19dBm。A broadband,low noise amplifier MMIC is designed,fabricated and tested.This MMIC uses OMMIC′s 0.2 μm gate PHEMT technology (f_T=60 GHz).It provides more than 21 dB power gain and less than 2.5 dB noise figure at the frequencies from 9～14 GHz.The least NF is 2.0 dB at 10.4 GHz.The output 1 dB gain compression power is +19 dBm at 11.5 GHz.

关 键 词：低噪声放大器 负反馈 噪声系数 

分 类 号：TN492[电子电信—微电子学与固体电子学]