一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型  

A Qusi-3D Model for a FinFET Device Based on the NEGF Method

作　　者：邵雪[1] 余志平[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第6期1191-1196,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G200036502)~~

摘　　要：提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显示纳米尺度的FinFET器件具有良好的开关特性和亚阈值特性.这个模型还能适用于量子线等其他三维结构的纳米器件.A qusi-3D model for a FinFET device is proposed,this model is based on the non-equilibrium Green’s function (NEGF) method along the channel and the 2D Schrdinger equation in the cross-sections of the channel.With the 3D Poisson’s equation solved self-consistently,the model provides the possibility of numerical simulation for FinFETs and nanowires,which are similar to FinFET in structure.Simulation results show that the nano-scaled FinFET has excellent switching and subthreshold characteristics.

关 键 词：非平衡态 准三维 FET模型 FinFET 格林函数方法 量子力学模型 态密度分布 薛定谔方程 亚阈值特性 弹道输运 纳米器件 三维结构 开关特性 纳米尺度 模拟结果 泊松方程 载流子 横截面 量子线 求解 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]