FET模型

作品数：14被引量：22H指数：3
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相关作者：柯博林李春华路香香姚若河罗宏伟更多>>
相关机构：东南大学浙江万里学院电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室信息产业部电子第五研究所更多>>
相关期刊：《现代电子技术》《半导体信息》《电子器件》《微电子学》更多>>
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一种优化动态特性SiC-MOSFET模型及其在高压固态开关的应用被引量：3
《电子测量技术》2021年第14期1-7,共7页李钰泷 马少翔 黄健翔 梅畅 尚文同 
国家重点研发计划(2017YFE0300104)项目资助。
为设计一款保护J-TEXT托卡马克电子回旋管的高压固态开关,新型宽禁带半导体SiC-MOSFET凭借低开关损耗、高耐压和MHz级别的开关频率等优良电气特性,在其中承担核心作用。但是极快的开关速度加剧了开关振荡,导致器件直串时的关断波形质量...
关键词：SiC-MOSFET模型 动态特性 非线性结电容 高压固态开关 双脉冲测试 
是德科技先进的DynaFET建模系统在中电十三所搭建成功
《半导体信息》2017年第5期23-24,共2页
电子网消息,是德科技日前宣布,其先进的DynaFET建模系统在中国电子科技集团公司第十三研究所（以下简称为中电十三所）顺利搭建成功。DynaFET是以非线性矢量网络分析仪（NVNA）和人工神经网络（ANN）为基础的创新性的化合物半导体晶体...
关键词：中国电子科技集团公司 建模系统 非线性模型 矢量网络分析仪 化合物半导体 人工神经网络 FET模型 功率放大器 
是德科技先进的DynaFET建模系统在中电十三所搭建成功
《国外电子测量技术》2017年第9期29-29,共1页
2017年9月4日,是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布,其先进的DynaFET建模系统在中国电子科技集团公司第十三研究所（以下简称为中电十三所）顺利搭建成功。DynaFET是以非线性矢量网络分析仪（NVNA）和人工神经网络（ANN）为基础的创新...
关键词：中国电子科技集团公司 建模系统 非线性模型 矢量网络分析仪 化合物半导体 人工神经网络 FET模型 全局模型 
基于MESFET非线性模型的MOSFET DC建模技术被引量：5
《电子器件》2012年第3期263-266,共4页孟茜倩 程加力 高建军 
常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验模型表征射频MOSFET的直流特性。进行模型参数提取,从模型对MOSFET的DC仿真与测量曲线数据的对比结果,以...
关键词：CMOS器件 MOSFET模型 参数提取与模型仿真 MESFET模型 直流模型 
用全地区MOSFET建模进行CMOS模拟设计
《国外科技新书评介》2011年第1期19-19,共1页M6rcio Cherem Schneider（著） 
本书是模拟集成电路设计课程的一本经典教材，作者从CMOS技术的前沿出发，结合丰富的工程和教学经验，对CMOS模拟电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题给出了详尽论述，阐述了全地区MOSFET建模的设计方法。本书覆盖了模拟电路设计...
关键词：CMOS技术 MOSFET 模拟设计 建模 模拟电路设计 FET模型 模拟集成电路 设计方法 
氮化镓HEMT器件的新型Cold FET模型
《电子器件》2008年第6期1765-1768,共4页郑惟彬 李晨 李辉 陈堂胜 任春江 
改进等效寄生电感的提取对提高小信号等效电路模型的仿真精度具有重要意义,尤其是氮化镓器件(GaN)。针对传统的等效寄生电感提取方法,本文推导了用于GaN HEMT器件的新型Cold FET模型及参数提取。通过对栅宽分别为200μm和1 000μm GaN H...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 COLD FET模型 
ESD应力下的NMOSFET模型被引量：8
《微电子学》2007年第6期842-847,共6页路香香 姚若河 罗宏伟 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助项目:ESD/EOSTLP分析及模拟软件(5130804108)
随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区...
关键词：静电保护 NMOSFET 半导体器件 器件模型 
CMC相中两款MOSFET模型实施标准化拟取代BSIM3／4
《现代电子技术》2005年第13期i003-i003,共1页
Compact Model Council(CMC)已经选中两款下一代金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)模型进行标准化，以取代现有的行业标准BSIM3与BSIM4模型。
关键词：标准化 FET模型 金属氧化物半导体场效应管 MOS Compact C相 CM Model 行业标准 
一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1191-1196,共6页邵雪 余志平 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G200036502)~~
提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显...
关键词：非平衡态 准三维 FET模型 FinFET 格林函数方法 量子力学模型 态密度分布 薛定谔方程 亚阈值特性 弹道输运 纳米器件 三维结构 开关特性 纳米尺度 模拟结果 泊松方程 载流子 横截面 量子线 求解 
对称薄膜双栅nMOSFET模型的研究被引量：1
《微电子学》2002年第6期419-422,共4页叶晖 李伟华 
　利用对称薄膜双栅MOSFET在阈值电压附近硅膜中的常电位近似,以硅膜达到体反型时的泊松方程为基础,得到一个有效的双栅nMOS器件模型。考虑到薄膜双栅SOI器件的体反型特性,阈值电压处的表面势不再受限于传统的强反型界限(指2倍费米势),...
关键词：薄膜双栅 MOSFET 器件模型 跨导最大变化法 强反型界限 
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