MOSFET模型

作品数：13被引量：27H指数：3
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考虑米勒电容分层耗尽的数据手册驱动型SiC MOSFET模型
《高电压技术》2025年第2期876-889,共14页王乐衡 孙凯 郑泽东 李驰 巫以凡 毕大强 
国家电网有限公司科技项目(SGSNKY00KJJS2100291)。
随着碳化硅金属-氧化物-半导体场效应管(silicon carbide metal-oxide-silicon field effect transistor,SiC MOSFET)功率器件的市场规模逐渐增大,对快速、准确的SiC MOSFET器件电路仿真模型的需求持续增多。然而,现有的SiC MOSFET模型...
关键词：器件建模 SiC MOSFET 收敛性 参数提取 米勒电容 静态特性 动态特性 
一种连续函数描述的高精度SiC MOSFET模型被引量：1
《电工技术学报》2024年第18期5719-5731,共13页谭亚雄 张梦洋 刘元 吴建发 
国家重点研发计划资助项目(2018YFB2100100)。
传统SiC MOSFET模型为提高精度,通常采用分段函数对不同工作区进行建模,但这带来了模型收敛性不足的问题,难以应用于高频仿真电路。该文提出一种连续函数描述的、具有高精度和强收敛性的SiC MOSFET数学模型。构建单一连续函数描述SiC MO...
关键词：功率SiC MOSFET 电力电子器件建模 数学模型 收敛模型 高精度 
基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法被引量：2
《半导体技术》2021年第11期866-874,共9页余秋萍 赵志斌 孙鹏 赵斌 
国家重点研发计划资助项目(2018YFB0905703)。
提出了一种基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法。将表征静态特性的核心单元模型优化为分段模型,以使其能同时准确表征高、低栅压下器件的静态特性。同时,在模型分段处进行线性插值以保证模型函数的连续性,基于器件漏源支路元器件参...
关键词：分段拟合 模型优化 SiC MOSFET 仿真模型 静态特性 动态特性 
一种具备良好泛化能力的神经网络MOSFET模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第4期309-314,共6页张济 赵柏衡 常胜 王豪 何进 黄启俊 
国家自然科学基金资助项目(61204096;J1210061);教育部博士点基金资助项目(20100141120040;20110141120074)
设计了一种具有良好泛化能力的神经网络MOSFET模型。通过对超阈值区域和亚阈值区域的分段建模,得到了对器件直流特性和温度特性的精确描述。采用自适应遗传算法对网络的泛化能力进行优化,使模型对训练样本集边界外的数据也有很好的计算...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 神经网络 泛化能力 遗传算法 VERILOG-A 
基于BSIM3的低温MOSFET模型及参数提取被引量：2
《激光与红外》2013年第9期1051-1054,共4页邓旭光 
器件模型作为工艺与设计之间的接口,对保证集成电路设计成功具有决定意义。本文介绍了BSIM3模型的原理,并完成了低温下(77K)BSIM3模型的参数提取。同时探讨了使用参数提取软件的具体工作步骤。
关键词：MOSFET BSIM3 参数提取 
基于MESFET非线性模型的MOSFET DC建模技术被引量：5
《电子器件》2012年第3期263-266,共4页孟茜倩 程加力 高建军 
常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验模型表征射频MOSFET的直流特性。进行模型参数提取,从模型对MOSFET的DC仿真与测量曲线数据的对比结果,以...
关键词：CMOS器件 MOSFET模型 参数提取与模型仿真 MESFET模型 直流模型 
超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型被引量：2
《微纳电子技术》2006年第4期203-208,共6页段成华 柳美莲 
国家863计划项目(2002AA141041)
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的...
关键词：模拟IC MOSFET建模 BSIM3模型 EKV模型 反型系数 短沟道效应 中间反型区 
CMC相中两款MOSFET模型实施标准化拟取代BSIM3／4
《现代电子技术》2005年第13期i003-i003,共1页
Compact Model Council(CMC)已经选中两款下一代金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)模型进行标准化，以取代现有的行业标准BSIM3与BSIM4模型。
关键词：标准化 FET模型 金属氧化物半导体场效应管 MOS Compact C相 CM Model 行业标准 
适用于PSPICE图形化输入的四端口MOSFET模型的创建被引量：2
《半导体技术》2004年第9期57-59,共3页霍明旭 丁扣宝 
OrCAD PSPICE是一个在PC机上应用比较广泛的电路模拟工具。在模拟IC设计时为了考虑体偏效应,需要具有栅G、源S、漏D、体B四个端口的器件,但PSPICE并不提供该器件的图形化输入,而且对于不同的生产工艺其SPICE模型也不相同。本文建立了适...
关键词：PSPICE 图形化输入 四端口MOSFET模型 电路模拟 
MOSFET模型&参数提取被引量：8
《微电子技术》2003年第4期23-28,38,共7页李庆华 韩郑生 海潮和 
器件模型及参数作为工艺和设计之间的接口 ,对保证集成电路设计的投片成功具有决定意义。本文介绍了电路模拟中常用的几种MOSFET模型 ,并着重探讨了使用自动参数提取软件提取一套准确的模型参数的具体工作步骤。
关键词：MOSFEX BSIM 模型 参数提取 
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