利用XPS研究紫外光激发下GaAs晶片表面氧化反应  

Studies on GaAs surface oxidation excited by UV light with XPS

作　　者：李雨辰[1] 任殿胜[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300192

出　　处：《现代仪器》2005年第3期24-26,30,共4页Modern Instruments

摘　　要：本文用XPS分析紫外光激发氧化反应后砷化镓表面的化学组成和氧化层厚度。发现,紫外光激发下,GaAs表面生成氧化膜,同时清除表面污染碳。氧化膜中的镓砷比可以与基体完全保持一致。用此方法获得具有一定的化学稳定性的,适合于器件制备的钝化层。发现紫外光激发的砷化镓表面氧化反应的实质是光催化反应。用“紫外光/臭氧处理法”处理的GaAs晶片。The oxidation process of GaAs surface were quantitatively investigated using XPS The result shows that the oxide layer was grown on GaAs surface, the polluted carbon was removed after UV/ozone treated The oxide on GaAs surface is made up of Ga 2O 3 and As 2O 3 and the Ga /As atomic ratio close to unity after UV/ozone exposing within 30 minute The thickness of oxide layer can be controlled by the exposing time An effective passivation layer on GaAs was obtained by this method

关 键 词：紫外光激发 氧化反应 GaAs XPS研究 晶片 砷化镓表面 氧化层厚度 XPS分析 化学稳定性 光催化反应 化学组成 表面生成 表面污染 器件性能 氧化膜 钝化层 处理法 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TQ174.752[化学工程—陶瓷工业]