砷化镓表面

作品数：15被引量：5H指数：1
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相关期刊：《应用科学学报》《半导体光电》《上海理工大学学报》《摩擦学学报（中英文）》更多>>
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不同温度下砷化镓表面摩擦诱导选择性刻蚀特性研究被引量：1
《摩擦学学报》2016年第4期475-480,共6页高健 余丙军 金晨宁 肖晨 钱林茂 
国家自然科学基金(51305365);高等学校博士学科点专项科研基金(20130184120008);中央高校基本科研业务费专项资金(2682015CX037)资助~~
利用摩擦诱导选择性刻蚀的方法,可在砷化镓表面加工一系列的纳米结构;该纳米加工方法无需掩膜,且加工效率高、成本低,具有应用前景.为了进一步研究砷化镓表面摩擦诱导选择性刻蚀的特性,优化加工参数,本文作者在不同温度下利用H_2SO_4-H_...
关键词：摩擦诱导选择性刻蚀 温度 砷化镓 AFM 
砷化镓表面摩擦化学去除的机理及应用研究
《学术动态（成都）》2014年第3期35-38,共4页余丙军 
1研究意义 砷化镓（GaAs）是最为重要的化合物半导体材料之一。砷化镓表面所形成的异质量子点具有光电转换效率高、量子限制效应强、量子干涉效应明显等特征,在新能源、光电探测、高性能激光器和量子计算等领域展示出强劲的应用前景（...
关键词：砷化镓 量子点 转换效率 硅太阳能电池 表面摩擦 量子限制效应 量子干涉 光电探测 化学作用 机械磨损 
砷化镓表面RHEED图谱的LabVIEW设计
《微计算机信息》2009年第25期99-101,共3页崔英善 丁召 张正平 陆安江 
基金申请人:丁召;项目名称:GaAs表面相变过程的MBE/SMT研究;基金颁发部门:贵州省科技厅自然科学基金(Z073085)
本文在LabVIEW 8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍射仪(RHEED)原理及样品砷化镓GaAs(001)_a(2×4)结构模型的表面原子结构进行深入探究,编程设计实现了理论情况下的GaAs(001)_a(2×4)表面原子结构RHEED图谱。该阶段性成果使有关虚拟...
关键词：虚拟仪器 LABVIEW 砷化镓(GaAs) RHEED图谱 
利用XPS研究紫外光激发下GaAs晶片表面氧化反应
《现代仪器》2005年第3期24-26,30,共4页李雨辰 任殿胜 
本文用XPS分析紫外光激发氧化反应后砷化镓表面的化学组成和氧化层厚度。发现,紫外光激发下,GaAs表面生成氧化膜,同时清除表面污染碳。氧化膜中的镓砷比可以与基体完全保持一致。用此方法获得具有一定的化学稳定性的,适合于器件制备的...
关键词：紫外光激发 氧化反应 GaAs XPS研究 晶片 砷化镓表面 氧化层厚度 XPS分析 化学稳定性 光催化反应 化学组成 表面生成 表面污染 器件性能 氧化膜 钝化层 处理法 
VGF结晶法中砷化镓表面平衡温度的计算
《上海理工大学学报》2001年第3期279-282,共4页魏东 马一太 李贵全 王占龙 
根据VGF结晶技术的特点,建立了结晶炉内的辐射换热模型,并利用有限差分法对变温条件下砷化镓晶体表面的辐射换热进行了数值求解. 模拟结果得出了晶体表面平衡温度的变化规律,与设定值比较具有良好的一致性. 所得结果确定了晶体生长过程...
关键词：VGF 砷化镓 平衡温度 辐射换热 
砷化镓表面硫钝化技术的研究进展被引量：2
《半导体情报》1999年第6期12-16,共5页刘传军 赵权 
综述了国内外砷化镓表面硫钝化技术的研究现状和发展趋势， 并对其钝化机理及钝化方法等进行了介绍。
关键词：表面钝化 硫钝化技术 砷化镓 
Fe_xMn_(1-x)合金在GaAs(001)表面外延的结构和磁性被引量：1
《物理学报》1999年第2期289-295,共7页敬超 吴义政 董国胜 金晓峰 
国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研基金;霍英东青年教师基金;上海应用物理中心和上海启明星计划资助
报道了对于０≤ｘ≤１的ＦｅｘＭｎ１－ｘ合金在ＧａＡｓ（００１）表面上分子束外延的结构与磁性的实验结果，当ｘ＞０８时，ＦｅｘＭｎ１－ｘ合金以单晶体心立方结构生长；当ｘ＜０３５时，则以单晶面心立方结构生长；对于０３...
关键词：铁锰合金 砷化镓表面 分子束外延 结构 磁性 
Mn与GaAs(001)表面相互作用的理论研究
《河南师范大学学报（自然科学版）》1998年第4期111-111,共1页杨宗献 张开明 谢希德 
国家自然科学基金
近年来，铁磁金属或铁磁金属化合物在半导体表面上的外延生长引起了人们的极大兴趣，这种“铁磁体／半导体”异质结集磁性和半导体电子学于一体，具有广泛的应用前景．Ｔａｎａｋａ等人成功地在ＧａＡｓ（００１）表面上生长了Ｍｎ－基...
关键词：锰 砷化镓表面 相互作用 外延生长 
GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第6期476-480,共5页陈溪滢 曹华 徐前江 王杰 朱炜 曹先安 张甫龙 丁训民 侯晓远 陆明 
国家自然科学基金;国家教委跨世纪人才基金
本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用...
关键词：砷化镓表面 硫钝化法 辉光放电法 
硫对砷化镓表面悬挂键的饱和作用
《复旦学报（自然科学版）》1995年第2期197-202,共6页彭彤 叶令 张开明 
利用集团模型探讨了硫对砷化镓（１１０）理想表面悬挂键的饱和作用，着重于定性讨论硫去除禁带内砷化镓表面态的可能性这有助于了解硫钝化砷化镓表面的机理计算采用电荷自治的ＥＨＴ（ＥｘｔｅｎｄｅｄＨｕｃｋｅｌＴｈｅｏｒｙ）方法...
关键词：砷化镓 悬挂键 硫 表面处理 饱和作用 
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