陈溪滢

作品数：8被引量：10H指数：2
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发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《物理学报》《复旦学报（自然科学版）》更多>>
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GaAs(100)面上气相淀积生长GaS钝化膜
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1998年第5期619-622,共4页曹先安 胡海天 丁训民 陈溪滢 袁泽亮 李哲深 侯晓远 
国家自然科学基金(批准号:19525410)
用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏...
关键词：气相淀积 准单晶 砷化镓 钝化膜 硫化镓 
中性(NH_4)_2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究被引量：2
《物理学报》1998年第1期68-74,共7页袁泽亮 丁训民 胡海天 李哲深 杨建树 缪熙月 陈溪滢 曹先安 侯晓远 陆尔东 徐世红 徐彭寿 张新夷 
国家教育委员会跨世纪人才培养计划;国家杰出青年科学基金
采用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）结合扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和称量法，研究了中性（ＮＨ４）２Ｓ溶液钝化ＧａＡｓ（１００）表面，并与常规（ＮＨ４）２Ｓ碱性溶液钝化方法进行了比较．ＳＲＰＥＳ结果表明该处理方法可以产生...
关键词：SEM 表面钝化 砷化镓 中性硫化铵溶液 
存在集中分布界面态的异质结的C-V特性研究
《复旦学报（自然科学版）》1997年第3期323-329,共7页张胜坤 陆昉 陈溪滢 孙恒慧 
国家科委基础研究重大项目
提出用高频C－V法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能级位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响．用这一方法对GaS／GaAs和Znse／GaAs两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界...
关键词：异质结 高频C-V法 集中分布 界面态密度 
砷化镓晶体在氯化硫溶液中腐蚀速率的研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1997年第2期146-150,共5页曹先安 陈溪滢 李喆深 丁训民 侯晓远 
国家教委跨世纪人才基金;国家杰出青年基金
本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选择低浓度的钝化液（＜20％）在较低的室温下进行，而S2...
关键词：砷化镓 氯化硫溶液 腐蚀速率 
GaS/GaAs界面电学性质研究被引量：4
《物理学报》1997年第3期612-617,共6页陈溪滢 丁训民 张胜坤 张博 陆方 曹先安 朱炜 侯晓远 
国家自然科学基金和国家杰出青年科学基金资助的课题
报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面生长ＧａＳ薄膜．用电容电压法（ＣＶ）、伏安法（ＩＶ）以及深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）等测试手段对ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的电学性质进行了研究．ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的ＣＶ特性反映此处的界面...
关键词：砷化镓器件 硫化镓 界面电学性质 薄膜 
微波放电法生长GaS薄膜的性质被引量：3
《物理学报》1997年第4期826-832,共7页陈溪滢 曹先安 丁训民 侯晓远 陈良尧 赵国庆 
国家自然科学基金
报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面与Ａｌ金属片上生长ＧａＳ薄膜．用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和卢瑟福背散射能谱（ＲＢＳ）分析了薄膜的成分，Ｘ射线衍射测试了薄膜的结构．结果表明，微波放电法生长的ＧａＳ薄膜是属于六方晶系的多晶材...
关键词：硫化镓 薄膜生长 微波放电法 半导体 
GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化被引量：2
《Journal of Semiconductors》1997年第1期76-80,共5页曹先安 陈溪滢 李喆深 苏润洲 丁训民 侯晓远 钱峰 姚晓峨 陈效建 
国家教委跨世纪人才基金;国家杰出青年基金
本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质，从而降低了表面复合对器件性能的影响...
关键词：硫钝化 砷化镓 HBT 
GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第6期476-480,共5页陈溪滢 曹华 徐前江 王杰 朱炜 曹先安 张甫龙 丁训民 侯晓远 陆明 
国家自然科学基金;国家教委跨世纪人才基金
本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用...
关键词：砷化镓表面 硫钝化法 辉光放电法 
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