GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化  

S_2Cl_2 Passivation of GaAs/AlGaAs HBT

作　　者：曹先安[1] 陈溪滢[1] 李喆深 苏润洲[2] 丁训民[1] 侯晓远[1] 钱峰[3] 姚晓峨[3] 陈效建[3] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433 [2]东北林业大学物理系,哈尔滨150040 [3]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《Journal of Semiconductors》1997年第1期76-80,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家教委跨世纪人才基金;国家杰出青年基金

摘　　要：本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质，从而降低了表面复合对器件性能的影响．这种钝化方法有可能发展成为GaAs器件制造中的一种实用钝化工艺．The diluted S2Cl2 solution has been employed to treat the GaAs/AlGaAs HBT'sand their DC properties have been improved significantly. The study of low-temperaturecharacteristics and real-time passivation have confirmed that the surface recombinationvelocity of GaAs can be reduced efficiently. S2Cl2 treatment is a promising passivationprocess in the fabrication of GaAs devices.

关 键 词：硫钝化 砷化镓 HBT 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]