李哲深

作品数：4被引量：5H指数：2
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供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文主题：砷化镓GAAS钝化表面钝化SEM更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《应用科学学报》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
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GaAs(100)面上气相淀积生长GaS钝化膜
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1998年第5期619-622,共4页曹先安 胡海天 丁训民 陈溪滢 袁泽亮 李哲深 侯晓远 
国家自然科学基金(批准号:19525410)
用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏...
关键词：气相淀积 准单晶 砷化镓 钝化膜 硫化镓 
S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1998年第4期316-320,共5页胡海天 丁训民 袁泽亮 李哲深 曹先安 侯晓远 陆尔东 徐世红 徐彭寿 张新夷 
国家自然科学基金
前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合...
关键词：砷化镓 SRPES 钝化 
中性(NH_4)_2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究被引量：2
《物理学报》1998年第1期68-74,共7页袁泽亮 丁训民 胡海天 李哲深 杨建树 缪熙月 陈溪滢 曹先安 侯晓远 陆尔东 徐世红 徐彭寿 张新夷 
国家教育委员会跨世纪人才培养计划;国家杰出青年科学基金
采用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）结合扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和称量法，研究了中性（ＮＨ４）２Ｓ溶液钝化ＧａＡｓ（１００）表面，并与常规（ＮＨ４）２Ｓ碱性溶液钝化方法进行了比较．ＳＲＰＥＳ结果表明该处理方法可以产生...
关键词：SEM 表面钝化 砷化镓 中性硫化铵溶液 
热壁外延法生长Zn_(1-x)Mn_xSe半磁半导体薄膜被引量：1
《应用科学学报》1992年第2期161-166,共6页王杰 吕宏强 沈军 李哲深 王建宝 沈孝良 
作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.
关键词：薄膜 热壁外延 半磁半导体 ZnMnSe 
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