GaAs(100)面上气相淀积生长GaS钝化膜  

作　　者：曹先安[1] 胡海天[1] 丁训民[1] 陈溪滢[1] 袁泽亮[1] 李哲深[1] 侯晓远[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1998年第5期619-622,共4页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:19525410)

摘　　要：用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏移1.5eV,导带偏移0.3eV,界面附近存在0.4eV的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为GaAs器件制作的有用工艺。

关 键 词：气相淀积 准单晶 砷化镓 钝化膜 硫化镓 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] O471.4[理学—半导体物理]