GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法  

Newly Developed Passivation Technique of GaAs Surfaces

作　　者：陈溪滢[1] 曹华[1] 徐前江 王杰[1] 朱炜[1] 曹先安[1] 张甫龙 丁训民[1] 侯晓远[1] 陆明[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,复旦大学李政道物理综合实验室,复旦大学真空物理实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1996年第6期476-480,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金;国家教委跨世纪人才基金

摘　　要：本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的表面复合速率大大降低，ＰＬ强度提高了将近两个数量级，而且稳定．ＡＥＳ谱和ＸＰＳ谱测量结果表明用Ｓ气氛辉光放电的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上形成了较厚的ＧａＳ薄膜．Abstract A novel sulfur passivation technique, sulfur glow discharge plasma passivation,has been developed. By using this technique, a thick GaS layer was formed on GaAs surface. Photoluminescence measurements show that GaS is a very stable passivating layer.PACC: 6820, 7280E, 7320

关 键 词：砷化镓表面 硫钝化法 辉光放电法 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]