高健

作品数：2被引量：3H指数：1
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供职机构：西南交通大学更多>>
发文主题：选择性刻蚀砷化镓砷化镓表面形貌高真空更多>>
发文领域：电子电信机械工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《摩擦学学报（中英文）》《半导体光电》更多>>
所获基金：国家自然科学基金湖南省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
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单晶硅表面机械划痕和氧化层在湿法刻蚀中的掩膜行为对比研究被引量：2
《半导体光电》2021年第2期246-251,共6页陈鹏 高健 吴磊 郭剑 余丙军 
国家自然科学基金项目(51775462);湖南省自然科学基金项目(2019JJ50518)。
摩擦诱导选择性刻蚀具有加工成本低、流程简单、低加工损伤等优势,是实现单晶硅表面微纳米结构构筑的重要途径。为探究摩擦诱导机械划痕在单晶硅表面微纳加工中的掩膜行为,实验研究了选择性刻蚀中机械划痕掩膜下的线/面结构形貌与高度特...
关键词：摩擦诱导选择性刻蚀 机械划痕 氧化层 掩膜 单晶硅 
不同温度下砷化镓表面摩擦诱导选择性刻蚀特性研究被引量：1
《摩擦学学报》2016年第4期475-480,共6页高健 余丙军 金晨宁 肖晨 钱林茂 
国家自然科学基金(51305365);高等学校博士学科点专项科研基金(20130184120008);中央高校基本科研业务费专项资金(2682015CX037)资助~~
利用摩擦诱导选择性刻蚀的方法,可在砷化镓表面加工一系列的纳米结构;该纳米加工方法无需掩膜,且加工效率高、成本低,具有应用前景.为了进一步研究砷化镓表面摩擦诱导选择性刻蚀的特性,优化加工参数,本文作者在不同温度下利用H_2SO_4-H_...
关键词：摩擦诱导选择性刻蚀 温度 砷化镓 AFM 
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